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单项掺杂对8YSZ粉体3~5μm波段发射率的影响

王慧慧 , 徐国跃 , 张建超 , 石枭 , 马惠 , 侯海丽

兵器材料科学与工程

采用高温固相法对8YSZ粉体分别进行ZnO、Al2O3及MoO3的单项掺杂,通过XRD、SEM等表征手段,探讨分析单项掺杂影响8YSZ粉体发射率的机理。结果表明:单项掺杂后8YSZ粉体3~5μm波段下的红外发射率从室温~600℃下保持不断降低的趋势,掺杂Al2O3后粉体的发射率整体上升,而掺杂ZnO及MoO3后的8YSZ粉体发射率整体有所降低;单项掺杂MoO3的效果最好,掺杂的摩尔分数为5%,样品粉体(MoO3)0.05(8YSZ)0.95的发射率最低,降至600℃下的0.249。

关键词: 8YSZ , 单项掺杂 , 发射率 , 导电性

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